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怎样为电源开关设计选择最佳MOSFET
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)主要用于开关应用中,具有高电压和高电流的特点。它们具有更高的效率和更优良的高速开关能力,因此成为电源设计中的最佳选择。我们来看一些筛选标准,以便为电力电子解决方案选择合适的MOSFET。
逻辑开关的行为参数
不管给定项目使用什么逻辑(和模拟)电平,都会有不同的阈值来清楚地判定设备的饱和或关断。换句话说,这些值精确地定义了逻辑电平在高或低时的操作。通常,在高低电平之间需要一个过渡区域,以确保两电平之间的过渡不会太突然。如图1所示,该区域被定义为“非法”或“不确定”区域。
通常,最小栅极电压(对于5V正逻辑)在0.5V至1V之间。那些高于最大阈值的栅极电压会导通MOSFET。在最小栅极电压的最高点和最大栅极电压的最低点之间的电压可能让MOSFET或导通或关断。因此必须避免达到些电压值,它们表示着MOSFET处在不确定区域,并且无法预测MOSFET的性能。因此,有必要在设计新系统的逻辑之前研究每个器件的栅极工作状况。在图2中,您可以看到一个经典的电路图,该图提供了一个用96 V电压供电的8Ω负载。在这种情况下,MOSFET用作电子开关,并且可以通过合适的电源驱动 “栅极”来激活。对于UnitedSiC UF3C065080T3S,能够提供给“栅极”的电压范围为–25 V至25V。



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